casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS22 R5G
codice articolo del costruttore | SS22 R5G |
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Numero di parte futuro | FT-SS22 R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS22 R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS22 R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS22 R5G-FT |
US1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel