casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1DHM2G
codice articolo del costruttore | US1DHM2G |
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Numero di parte futuro | FT-US1DHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1DHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1DHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1DHM2G-FT |
RS2AAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2BAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2DAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2JAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel