casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1G M2G
codice articolo del costruttore | US1G M2G |
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Numero di parte futuro | FT-US1G M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1G M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1G M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1G M2G-FT |
RS2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2BAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2DAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2JAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel