casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS50R06W1E3BOMA1
codice articolo del costruttore | FS50R06W1E3BOMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FS50R06W1E3BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EasyPACK™ 1B |
FS50R06W1E3BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 95pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS50R06W1E3BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS50R06W1E3BOMA1-FT |
FP30R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP40R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation