casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / HFA3127RZ96
codice articolo del costruttore | HFA3127RZ96 |
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Numero di parte futuro | FT-HFA3127RZ96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HFA3127RZ96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 5 NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 8GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 2V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-VFQFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-QFN (3x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA3127RZ96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HFA3127RZ96-FT |
SD1728
STMicroelectronics
SD1405
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SD1726
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SD1731
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SD1275
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SD1274
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BFU725F/N1,115
NXP USA Inc.
BFG10W/X,115
NXP USA Inc.
BFG25AW/X,115
NXP USA Inc.
BFG424F,115
NXP USA Inc.
XC2VP70-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA600-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3FTN256C
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XC7A15T-L1CPG236I
Xilinx Inc.
LFXP3C-3QN208C
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LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FG484I
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LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALI84-4
Intel
EP1C12F324C8N
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