casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFG10W/X,115
codice articolo del costruttore | BFG10W/X,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BFG10W/X,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFG10W/X,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Frequenza - Transizione | 1.9GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 400mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-343 Reverse Pinning |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG10W/X,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFG10W/X,115-FT |
AT-32011-TR2G
Broadcom Limited
AT-41511-BLKG
Broadcom Limited
AT-41511-TR1G
Broadcom Limited
AT-41511-TR2G
Broadcom Limited
BFG10,215
NXP USA Inc.
BFG10/X,215
NXP USA Inc.
BFG25A/X,215
NXP USA Inc.
BFG505,215
NXP USA Inc.
BFG505/X,215
NXP USA Inc.
BFG505/X,235
NXP USA Inc.
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel