casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFG25AW/X,115
codice articolo del costruttore | BFG25AW/X,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BFG25AW/X,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFG25AW/X,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Frequenza - Transizione | 5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 500mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500µA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6.5mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-343 Reverse Pinning |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG25AW/X,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFG25AW/X,115-FT |
AT-41511-BLKG
Broadcom Limited
AT-41511-TR1G
Broadcom Limited
AT-41511-TR2G
Broadcom Limited
BFG10,215
NXP USA Inc.
BFG10/X,215
NXP USA Inc.
BFG25A/X,215
NXP USA Inc.
BFG505,215
NXP USA Inc.
BFG505/X,215
NXP USA Inc.
BFG505/X,235
NXP USA Inc.
BFG520,215
NXP USA Inc.
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel