casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / HFA3102BZ96
codice articolo del costruttore | HFA3102BZ96 |
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Numero di parte futuro | FT-HFA3102BZ96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HFA3102BZ96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 6 NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 10GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Guadagno | 12.4dB ~ 17.5dB |
Potenza - Max | 250mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA3102BZ96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HFA3102BZ96-FT |
NE68833-T1-A
CEL
NE85633-R23-A
CEL
NE85633-R24-A
CEL
NE85633-R25-A
CEL
NE85633-T1B
CEL
NE85633-T1B-A
CEL
NE85633-T1B-R23-A
CEL
NE85633-T1B-R24-A
CEL
NE85633-T1B-R25-A
CEL
NE85633L-A
CEL
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
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5SGXEB6R3F43I4N
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LFXP10C-4F256C
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LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
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EP1C20F324I7N
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