casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE85633L-A
codice articolo del costruttore | NE85633L-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE85633L-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85633L-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
Guadagno | 9dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633L-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE85633L-A-FT |
NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
HFA3134IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3134IH96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IH96
Renesas Electronics America Inc.
MMBTH11
ON Semiconductor
MMBTH10RG
ON Semiconductor
A1415A-PQG100C
Microsemi Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C7ES
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
EP3SL150F1152C4
Intel
EP3SL200F1152C4N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
LFE2-6SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation