casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE85633L-A
codice articolo del costruttore | NE85633L-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE85633L-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85633L-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
Guadagno | 9dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633L-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE85633L-A-FT |
NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
HFA3134IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3134IH96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IH96
Renesas Electronics America Inc.
MMBTH11
ON Semiconductor
MMBTH10RG
ON Semiconductor
A40MX02-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C6NES
Intel
EPF8452ALC84-2
Intel
EP1SGX40DF1020I6N
Intel