casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-T1B
codice articolo del costruttore | NE85633-T1B |
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Numero di parte futuro | FT-NE85633-T1B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85633-T1B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
Guadagno | 9dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-T1B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE85633-T1B-FT |
NE68018-T1-A
CEL
NE68118-A
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NE68118-T1-A
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NE68518-A
CEL
NE68518-T1-A
CEL
NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
HFA3134IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel