casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER103-AP
codice articolo del costruttore | HER103-AP |
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Numero di parte futuro | FT-HER103-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER103-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 40V |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER103-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER103-AP-FT |
SD101C-TP
Micro Commercial Co
SD103A-TP
Micro Commercial Co
SD103B-TP
Micro Commercial Co
SD103C-TP
Micro Commercial Co
1N6080
Microsemi Corporation
MUR1100-TP
Micro Commercial Co
MUR120-TP
Micro Commercial Co
SF16G-TP
Micro Commercial Co
1N4004-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
1N4004-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel