codice articolo del costruttore | 1N6080 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N6080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 37.7A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6080-FT |
1N6625
Microsemi Corporation
1N6625E3
Microsemi Corporation
1N6626
Microsemi Corporation
1N6627
Microsemi Corporation
1N6628
Microsemi Corporation
1N6629
Microsemi Corporation
1N6630
Microsemi Corporation
1N6631
Microsemi Corporation
1N5804US
Microsemi Corporation
1N5802US
Microsemi Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel