casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / HCT802TX
codice articolo del costruttore | HCT802TX |
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Numero di parte futuro | FT-HCT802TX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HCT802TX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCT802TX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HCT802TX-FT |
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