casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / ALD212908PAL
codice articolo del costruttore | ALD212908PAL |
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Numero di parte futuro | FT-ALD212908PAL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
ALD212908PAL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD212908PAL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ALD212908PAL-FT |
AO4842L
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AO4850
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AO4850L
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AO4852
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AO4852L
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