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Advanced Linear Devices Inc. ALD114913PAL

Numero parte MFG
ALD114913PAL
quantità disponibile
46780 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.07808
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fabbricante
Advanced Linear Devices Inc.
Breve descrizione
EPAD® MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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ALD114913PAL specificazioni

codice articolo del costruttore ALD114913PAL
Numero di parte futuro FT-ALD114913PAL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie EPAD®
ALD114913PAL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.26V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD114913PAL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ALD114913PAL-FT

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