casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812RFYA
codice articolo del costruttore | H812RFYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H812RFYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812RFYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812RFYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812RFYA-FT |
H811KDZA
TE Connectivity Passive Product
H811KFCA
TE Connectivity Passive Product
H811KFDA
TE Connectivity Passive Product
H811KFYA
TE Connectivity Passive Product
H811KFZA
TE Connectivity Passive Product
H811R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H811R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H811R3BYA
TE Connectivity Passive Product
H811R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H811R5BCA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9L
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation