casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H811R3BYA
codice articolo del costruttore | H811R3BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H811R3BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H811R3BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H811R3BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H811R3BYA-FT |
H8105RDCA
TE Connectivity Passive Product
H8105RDYA
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H8105RDZA
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H8107RBCA
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H8107RBDA
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H8107RBYA
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H8107RBZA
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H810K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H810K2BZA
TE Connectivity Passive Product
H810K5BYA
TE Connectivity Passive Product
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
M2GL005-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC5VLX330T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5SGXMA3H3F35C4N
Intel