casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H811R3BZA
codice articolo del costruttore | H811R3BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H811R3BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H811R3BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H811R3BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H811R3BZA-FT |
H8105RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8105RDZA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBZA
TE Connectivity Passive Product
H810K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H810K2BZA
TE Connectivity Passive Product
H810K5BYA
TE Connectivity Passive Product
H810K5DCA
TE Connectivity Passive Product
XC2S100-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG484C
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FGG484I
Microsemi Corporation
XC2V3000-5BG728I
Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C6N
Intel