casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H413R3BYA
codice articolo del costruttore | H413R3BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H413R3BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H413R3BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 13.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H413R3BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H413R3BYA-FT |
H411R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H411R5DYA
TE Connectivity Passive Product
H411R8BCA
TE Connectivity Passive Product
H411R8BDA
TE Connectivity Passive Product
H411R8BYA
TE Connectivity Passive Product
H411R8BZA
TE Connectivity Passive Product
H411RBCA
TE Connectivity Passive Product
H411RBDA
TE Connectivity Passive Product
H411RBYA
TE Connectivity Passive Product
H411RBZA
TE Connectivity Passive Product
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC7A25T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
5SGXEA5K2F40I2N
Intel
5CEFA7M15I7N
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP1S80F1508I7
Intel