casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H411R8BZA
codice articolo del costruttore | H411R8BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H411R8BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H411R8BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11.8 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411R8BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H411R8BZA-FT |
H891KFYA
TE Connectivity Passive Product
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LCMXO640E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
5SGXEABK2H40C3N
Intel
XC5VLX330-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP20K1000CB652C9ES
Intel
EPF10K30RI240-4
Intel