casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H411R5BZA
codice articolo del costruttore | H411R5BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H411R5BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H411R5BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11.5 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411R5BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H411R5BZA-FT |
H8909RDZA
TE Connectivity Passive Product
H890K9DCA
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H890K9DYA
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H891KFDA
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H891KFYA
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H893R1BYA
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H893R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBDA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation