casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H410K2BZA
codice articolo del costruttore | H410K2BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H410K2BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H410K2BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.2 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410K2BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H410K2BZA-FT |
H8909KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBZA
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H890K9BCA
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TE Connectivity Passive Product
H890R9BYA
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XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel