casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H410K2BZA
codice articolo del costruttore | H410K2BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H410K2BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H410K2BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.2 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410K2BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H410K2BZA-FT |
H8909KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBZA
TE Connectivity Passive Product
H8909RDCA
TE Connectivity Passive Product
H8909RDYA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BCA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BDA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BYA
TE Connectivity Passive Product
H890K9BZA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BYA
TE Connectivity Passive Product
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F40C3N
Intel
5SGXEABK3H40I3L
Intel
5SGXEA5H3F35I3N
Intel
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H3F34I2SG
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel