casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GPAS1007 MNG
codice articolo del costruttore | GPAS1007 MNG |
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Numero di parte futuro | FT-GPAS1007 MNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPAS1007 MNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPAS1007 MNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPAS1007 MNG-FT |
SFAF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF501G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel