casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFAF2007GHC0G
codice articolo del costruttore | SFAF2007GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFAF2007GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFAF2007GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF2007GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFAF2007GHC0G-FT |
MBRF1050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel