casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFAF2008GHC0G
codice articolo del costruttore | SFAF2008GHC0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SFAF2008GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFAF2008GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF2008GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFAF2008GHC0G-FT |
MBRF1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1635 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel