casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GPAS1006 MNG
codice articolo del costruttore | GPAS1006 MNG |
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Numero di parte futuro | FT-GPAS1006 MNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPAS1006 MNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPAS1006 MNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPAS1006 MNG-FT |
SFAF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel