casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFU540Z
codice articolo del costruttore | AUIRFU540Z |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFU540Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFU540Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 91W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFU540Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFU540Z-FT |
BSZ018NE2LSATMA1
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BSZ019N03LSATMA1
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BSZ042N06NSATMA1
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BSZ0500NSIATMA1
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BSZ0501NSIATMA1
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XC6SLX150-3FG676I
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XC3S1400A-5FG484C
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5SGSED8N2F45I2
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