casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DNA30E2200PA
codice articolo del costruttore | DNA30E2200PA |
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Numero di parte futuro | FT-DNA30E2200PA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DNA30E2200PA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.26V @ 30A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 2200V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 700V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DNA30E2200PA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DNA30E2200PA-FT |
DH60-16A
IXYS
DPG30I300HA
IXYS
DPG60I300HA
IXYS
DPG60I400HA
IXYS
DSDI60-14A
IXYS
DSDI60-16A
IXYS
DSDI60-18A
IXYS
DSEI120-12A
IXYS
DSI45-08A
IXYS
DLA60I1200HA
IXYS
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation