casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DGS10-018A
codice articolo del costruttore | DGS10-018A |
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Numero di parte futuro | FT-DGS10-018A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DGS10-018A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 180V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.3mA @ 180V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGS10-018A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DGS10-018A-FT |
DSEI60-10A
IXYS
DSEP30-06A
IXYS
DSS60-0045B
IXYS
DSEP60-12A
IXYS
DSEP60-06A
IXYS
DH60-18A
IXYS
DH20-18A
IXYS
DH60-14A
IXYS
DH60-16A
IXYS
DPG30I300HA
IXYS
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel