casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ10B-HE3-18
codice articolo del costruttore | GDZ10B-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ10B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ10B-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolleranza | ±4% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ10B-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ10B-HE3-18-FT |
BZX384C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation