casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX384C3V0-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX384C3V0-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX384C3V0-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C3V0-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C3V0-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX384C3V0-HE3-18-FT |
BZX384B7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation