casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX384C39-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX384C39-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX384C39-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C39-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 130 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 27.3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C39-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX384C39-HE3-18-FT |
BZX384B75-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation