casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ10B-E3-18
codice articolo del costruttore | GDZ10B-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ10B-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ10B-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolleranza | ±4% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ10B-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ10B-E3-18-FT |
BZX384C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ETC144-2N
Intel
XC3S400A-4FT256C
Xilinx Inc.
M7AFS600-FG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C5
Intel
EPF10K30AQC240-1N
Intel