casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25WD05CTIGR
codice articolo del costruttore | GD25WD05CTIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25WD05CTIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25WD05CTIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25WD05CTIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25WD05CTIGR-FT |
MX25V8035FM2I
Macronix
CY15B102Q-SXET
Cypress Semiconductor Corp
24FC1026-I/SM
Microchip Technology
BR24S08F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93G46F-3BGTE2
Rohm Semiconductor
FM25LX64-GTR
Cypress Semiconductor Corp
GD25Q127CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel