casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25VQ80CTIGR
codice articolo del costruttore | GD25VQ80CTIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25VQ80CTIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25VQ80CTIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25VQ80CTIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25VQ80CTIGR-FT |
24FC64T-I/SM
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25AA256T-E/SM
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LFXP6E-4TN144C
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A1020B-PQG100C
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XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
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A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
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LFE3-35EA-6FTN256I
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LFEC6E-3F484C
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LCMXO2-2000HE-5MG132I
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