casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 24LC512T-E/SM
codice articolo del costruttore | 24LC512T-E/SM |
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Numero di parte futuro | FT-24LC512T-E/SM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
24LC512T-E/SM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 400kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 900ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24LC512T-E/SM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 24LC512T-E/SM-FT |
GD25LQ05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel