casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC3502WTA
codice articolo del costruttore | GBPC3502WTA |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC3502WTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3502WTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3502WTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC3502WTA-FT |
KBU803G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU804G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU805G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU806G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU807G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
M2535SB1200
Sensata-Crydom
T483C
Sensata-Crydom
TS4K80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
DF02S-T
Diodes Incorporated
G2SB60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel