casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS4K80 D3G
codice articolo del costruttore | TS4K80 D3G |
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Numero di parte futuro | FT-TS4K80 D3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TS4K80 D3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS4K |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS4K80 D3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS4K80 D3G-FT |
GBPC5004W-G
Comchip Technology
KBU1001-G
Comchip Technology
KBU1002-G
Comchip Technology
KBU1006-G
Comchip Technology
KBU1008-G
Comchip Technology
KBU2501-G
Comchip Technology
KBU2502-G
Comchip Technology
KBU2506-G
Comchip Technology
KBU2508-G
Comchip Technology
KBU3501-G
Comchip Technology
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel