casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DF02S-T
codice articolo del costruttore | DF02S-T |
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Numero di parte futuro | FT-DF02S-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF02S-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DF-S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF02S-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF02S-T-FT |
KBU1001-G
Comchip Technology
KBU1002-G
Comchip Technology
KBU1006-G
Comchip Technology
KBU1008-G
Comchip Technology
KBU2501-G
Comchip Technology
KBU2502-G
Comchip Technology
KBU2506-G
Comchip Technology
KBU2508-G
Comchip Technology
KBU3501-G
Comchip Technology
KBU3502-G
Comchip Technology
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation