casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2501-BP
codice articolo del costruttore | GBJ2501-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2501-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2501-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2501-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2501-BP-FT |
MD100S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD130S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD160S16M5-BP
Micro Commercial Co
MB354-BP
Micro Commercial Co
MB251D-BP
Micro Commercial Co
MB10S-TP
Micro Commercial Co
MB10M-BP
Micro Commercial Co
MB251W-BP
Micro Commercial Co
MB3510W-BP
Micro Commercial Co
MB154W-BP
Micro Commercial Co
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
10AX027E2F27E2SG
Intel
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP20K400ERC208-1
Intel