casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MB3510W-BP
codice articolo del costruttore | MB3510W-BP |
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Numero di parte futuro | FT-MB3510W-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB3510W-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, MB-35W |
Pacchetto dispositivo fornitore | MB-35W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB3510W-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB3510W-BP-FT |
MP502W
Micro Commercial Co
MP504W
Micro Commercial Co
MP506W
Micro Commercial Co
MP508W
Micro Commercial Co
MP506
Micro Commercial Co
MP508
Micro Commercial Co
RS401L-BP
Micro Commercial Co
RS402L-BP
Micro Commercial Co
RS404L-BP
Micro Commercial Co
RS405L-BP
Micro Commercial Co
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel