casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MB251D-BP
codice articolo del costruttore | MB251D-BP |
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Numero di parte futuro | FT-MB251D-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB251D-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 110V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 110V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, MB-35D |
Pacchetto dispositivo fornitore | MB-35D |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB251D-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB251D-BP-FT |
MP501W-BP
Micro Commercial Co
MP5005W
Micro Commercial Co
MP5010W
Micro Commercial Co
MP501W
Micro Commercial Co
MP502W
Micro Commercial Co
MP504W
Micro Commercial Co
MP506W
Micro Commercial Co
MP508W
Micro Commercial Co
MP506
Micro Commercial Co
MP508
Micro Commercial Co
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel