casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2002TB
codice articolo del costruttore | GBJ2002TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2002TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2002TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2002TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2002TB-FT |
GBU805 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU606 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C2N
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
XC7A200T-1SBG484I
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel