casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU805 D2G
codice articolo del costruttore | GBU805 D2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU805 D2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU805 D2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU805 D2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU805 D2G-FT |
DBLS209G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS8 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS6 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS103G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel