casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU805 D2G
codice articolo del costruttore | GBU805 D2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU805 D2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU805 D2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU805 D2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU805 D2G-FT |
DBLS209G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS8 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS6 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS103G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel