casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU801HD2G
codice articolo del costruttore | GBU801HD2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU801HD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GBU801HD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU801HD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU801HD2G-FT |
DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15J REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
RABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS107G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel