casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ1501-BP
codice articolo del costruttore | GBJ1501-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ1501-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1501-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 7.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1501-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ1501-BP-FT |
MD250S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD130S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD160S16M5-BP
Micro Commercial Co
MB354-BP
Micro Commercial Co
MB251D-BP
Micro Commercial Co
MB10S-TP
Micro Commercial Co
MB10M-BP
Micro Commercial Co
MB251W-BP
Micro Commercial Co
MB3510W-BP
Micro Commercial Co
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel