casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G2SB20-E3/51
codice articolo del costruttore | G2SB20-E3/51 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-G2SB20-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G2SB20-E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 750mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G2SB20-E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G2SB20-E3/51-FT |
G3SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel