casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G3SBA80-M3/51
codice articolo del costruttore | G3SBA80-M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-G3SBA80-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G3SBA80-M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA80-M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G3SBA80-M3/51-FT |
GSIB15A20N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A60N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A80N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel