casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G3SBA80-M3/51
codice articolo del costruttore | G3SBA80-M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-G3SBA80-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G3SBA80-M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA80-M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G3SBA80-M3/51-FT |
GSIB15A20N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A60N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB15A80N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel