casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G5SBA80-M3/45
codice articolo del costruttore | G5SBA80-M3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-G5SBA80-M3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G5SBA80-M3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G5SBA80-M3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G5SBA80-M3/45-FT |
GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2080N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation