casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G5SBA80-M3/45
codice articolo del costruttore | G5SBA80-M3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-G5SBA80-M3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G5SBA80-M3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G5SBA80-M3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G5SBA80-M3/45-FT |
GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2080N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel