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Infineon Technologies FZ800R12KS4B2NOSA1

Name: FZ800R12KS4B2NOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FZ800R12KS4B2NOSA1
Price: 874.38 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (29 reviews)

Numero parte MFG: FZ800R12KS4B2NOSA1

quantità disponibile: 56280 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 874.38

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - MODULE IGBT A-IHM130-1

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FZ800R12KS4B2NOSA1.pdf

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FZ800R12KS4B2NOSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	FZ800R12KS4B2NOSA1
Numero di parte futuro	FT-FZ800R12KS4B2NOSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FZ800R12KS4B2NOSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo IGBT	-
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	1200A
Potenza - Max	7600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 800A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	52nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FZ800R12KS4B2NOSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FZ800R12KS4B2NOSA1-FT

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