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Infineon Technologies FZ800R12KS4B2NOSA1

Numero parte MFG
FZ800R12KS4B2NOSA1
quantità disponibile
56280 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 874.38
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- MODULE IGBT A-IHM130-1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Moduli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
FZ800R12KS4B2NOSA1.pdf
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FZ800R12KS4B2NOSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore FZ800R12KS4B2NOSA1
Numero di parte futuro FT-FZ800R12KS4B2NOSA1
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FZ800R12KS4B2NOSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1200A
Potenza - Max 7600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 52nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FZ800R12KS4B2NOSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FZ800R12KS4B2NOSA1-FT

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